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IRF8707TRPBF  与  BSO110N03MS G  区别

型号 IRF8707TRPBF BSO110N03MS G
唯样编号 A36-IRF8707TRPBF A-BSO110N03MS G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.9mΩ@11A,10V 11mΩ@12.1A,10V
Qg-栅极电荷 - 20nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 16S
封装/外壳 8-SO SOIC-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 11A 12.1A
配置 - Single
长度 - 4.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 4.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 15V -
高度 - 1.75mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W
典型关闭延迟时间 - 9.5ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3M
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 7.8ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 20,714 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.54
100+ :  ¥1.188
1,000+ :  ¥0.9889
2,000+ :  ¥0.8987
4,000+ :  ¥0.825
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.54 

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20,714 当前型号
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥2.3861 

阶梯数 价格
70: ¥2.3861
100: ¥2.2615
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8399
2,000: ¥1.7057
2,500 对比
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¥2.3861 

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70: ¥2.3861
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